在電動(dòng)汽車的“三電”方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動(dòng)電機(jī)，其中每一相的驅(qū)動(dòng)控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充電樁的核心部件也要用到IGBT芯片。英飛凌為國(guó)內(nèi)電動(dòng)乘用車市場(chǎng)供應(yīng)62.8萬(wàn)套IGBT模塊，*達(dá)到58%。英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，有時(shí)驅(qū)動(dòng)板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過(guò)線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動(dòng)電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線雜散電感一起，構(gòu)成了柵極回路電感Lg。它會(huì)顯著影響IGBT的開(kāi)關(guān)性能，尤其是開(kāi)通性能。IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列

IGBT開(kāi)通性能而言，有兩個(gè)比較重要的表現(xiàn)指標(biāo)：一個(gè)是開(kāi)通時(shí)橋臂電流的變化率di/dt，另一個(gè)是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所產(chǎn)生的開(kāi)通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極管（FWD）也會(huì)有一個(gè)很快的反向恢復(fù)過(guò)程，這可能會(huì)導(dǎo)致反向恢復(fù)電流出現(xiàn)振蕩從而引起二極管的失效。后者是直接關(guān)系到IGBT的工作效率及其對(duì)散熱器的設(shè)計(jì)需求，這對(duì)成本控制和器件的可靠性非常有意義。1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導(dǎo)體

如今，IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源領(lǐng)域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開(kāi)關(guān)性能可通過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)置加以控制或影響。優(yōu)化IGBT開(kāi)關(guān)性能對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言十分重要，因?yàn)椴煌拈_(kāi)關(guān)損耗會(huì)影響散熱設(shè)計(jì)和IGBT使用壽命。英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V GA1單元系列

德國(guó)infineon公司生產(chǎn)的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對(duì)其按電壓等級(jí)進(jìn)行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電壓等級(jí)，每一電壓等級(jí)中又按內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行二級(jí)分類。英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊，可詳細(xì)咨詢客服