MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。艾賽斯模塊MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應(yīng)管 MOS管/三極管/場效應(yīng)管 德國IXYS艾賽斯

MOS具有以下特點：開關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計者一種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件。在各類中小功率開關(guān)電路中應(yīng)用極為廣泛。 艾賽斯IXYS場效應(yīng)管MOS管觸發(fā)開關(guān)驅(qū)動模塊

mos管在電路中一般用作電子開關(guān)，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。德國艾賽斯MOS管場效應(yīng)管模塊貼片大功率

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 in 1模塊為例，模塊中封裝了兩組芯片，根據(jù)電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對應(yīng)）英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2