技術(shù)文章
Technical articles傳統(tǒng)機械開關(guān)應(yīng)用較為廣泛,其在靈敏度與觸覺反饋等領(lǐng)域有著良好的表現(xiàn)。但是隨著智能化時代的來臨,人們對這些參數(shù)的需求也在逐漸提升,因此利用電容觸摸傳感器來取代機械開關(guān),就成為了一個不錯的選擇。電容觸摸傳感器可以不需要任何外部元件或材料,能夠憑借標(biāo)準(zhǔn)兩層或四層PCB上的走線(trace)或柔性電路來滿足工作需求。不受外界環(huán)境影響,在任何工況下都能夠保持靈敏水平是對傳感器的一大要求和考驗。因為印刷電路電容傳感器容易因為溫濕度變化而發(fā)生漂移,這時候漂移補償功能就十分必要了。PCB還可...
一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動,各種驅(qū)動保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除...
西門康是一家工業(yè)自動化解決方案提供商,其可控硅模塊是一種常用于交流電源控制和調(diào)節(jié)中的電子元件??煽毓枘K的原理是利用半導(dǎo)體材料的特性,在一個周期內(nèi)將交流電壓轉(zhuǎn)換為脈沖式直流電壓。當(dāng)觸發(fā)器接收到控制信號時,它會開啟可控硅,使其從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài),從而通過改變導(dǎo)通時間來控制負(fù)載電流。這種模塊具有體積小、重量輕、反應(yīng)速度快等優(yōu)點,并且可以根據(jù)需要進(jìn)行組合使用,形成不同功率等級的控制模塊。在工業(yè)生產(chǎn)中,可控硅模塊被廣泛應(yīng)用于交流電源調(diào)節(jié)、直流電源調(diào)節(jié)、變頻器、電動機軟起動、電磁...
在現(xiàn)代社會中,電力已經(jīng)成為生產(chǎn)、生活和通訊等各個方面不可或缺的能源,因此電網(wǎng)的安全運行至關(guān)重要。為了保障電網(wǎng)的安全,采用高壓快速熔斷器已經(jīng)成為一種有效的方式。本文將從高壓快速熔斷器的原理、優(yōu)點、構(gòu)造和應(yīng)用等方面進(jìn)行敘述。一、原理高壓快速熔斷器是一種保護(hù)電網(wǎng)安全的重要裝置。它的作用是在電路發(fā)生短路故障時,迅速地熔斷故障區(qū)域,避免電路繼續(xù)運行,保持電網(wǎng)的運行安全。它的原理是在電路發(fā)生故障時,通過熔斷器迅速斷開電路,防止故障擴大,并在一定時間內(nèi)貯存能量。當(dāng)電力恢復(fù)正常,它可以快速地...
巴斯曼快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外,還會在上面點上某種材質(zhì)的焊點,其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開??焖偃蹟嗥魇且环N保護(hù)電路的裝置,有多種類型,隨著對生活生產(chǎn)安全的高度...
高壓快速斷器是一種斷器的一種,快速斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速斷的能力??焖贁嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式斷器基本相同,但體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面體??焖贁嗥鞯慕z除了具有一定形狀的金屬絲外,還會在上面點上某種材質(zhì)的焊點,其目的為了使絲在過載情況下迅速斷開。快速斷器:斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流器件的短路保護(hù)。因為半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能...
艾賽斯模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。艾賽斯模塊的可靠性測試是在其生產(chǎn)中不可少的一個環(huán)節(jié),為何這么說呢?艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件...
傳統(tǒng)的晶閘管本質(zhì)上是直流控制裝置。為了控制交流負(fù)載,兩個晶閘管必須并聯(lián)反向極性,使每個晶閘管能控制一個半波。晶閘管晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,它不僅可以并聯(lián)取代兩個反極性晶閘管,而且只需要一個觸發(fā)電路,是目前理想的交流開關(guān)器件。它的英文名字是triac意思是三端雙向交流開關(guān)。晶閘管是一種功率集成裝置,由七個晶體管和多個電阻組成,雖然從形式上來說它可以看作是兩個傳統(tǒng)晶閘管的組合。低功率晶閘管用塑料包裝,有些帶散熱片,如圖1所示。典型產(chǎn)品有bcmlam(1a/600v...