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  • APT75GT120JU2/75GP120JDQ3APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等,單個元件電壓可達(dá)4.0KV(pt結(jié)構(gòu))一6.5KV(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊

    更新時間:2024-03-22
    產(chǎn)品型號:APT75GT120JU2/75GP120JDQ3
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  • IXGN50N120C3H1/IXDN55N120IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等,單個元件電壓可達(dá)4.0KV(pt結(jié)構(gòu))一6.5KV(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊

    更新時間:2024-03-22
    產(chǎn)品型號:IXGN50N120C3H1/IXDN55N120
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  • APT150GN60J/APT100GN120J美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導(dǎo)體電子元器件

    IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的,特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調(diào)試工作等,都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系,所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā),予估近2-3年內(nèi),會有突破性的進(jìn)展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導(dǎo)體電子元器件

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:APT150GN60J/APT100GN120J
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  • IXA60IF1200NA/IXA70I1200NIXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導(dǎo)體

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等,單個元件電壓可達(dá)4.0KV(pt結(jié)構(gòu))一6.5KV(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導(dǎo)體

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:IXA60IF1200NA/IXA70I1200N
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  • BYM系列英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

    IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊,IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊,主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 in 1模塊為例,模塊中封裝了兩組芯片,根據(jù)電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片( IGBT芯片與FRD一一對應(yīng))英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:BYM系列
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