MOS晶體管模塊艾賽斯IXYS,IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGB...
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MOS晶體管模塊艾賽斯IXYS,IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGB...
查看詳情IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
查看詳情IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
查看詳情IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
查看詳情IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
查看詳情熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開(kāi);運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
查看詳情Bussmann創(chuàng)建于1914年美國(guó),現(xiàn)在是Eaton伊頓旗下品牌,主要產(chǎn)品包括:Bussmann熔斷器、快速熔斷器、超級(jí)電容、Bussmann固態(tài)控制器、Bussmann保險(xiǎn)絲、Bussmann斷開(kāi)...
查看詳情Bussmann創(chuàng)建于1914年美國(guó),現(xiàn)在是Eaton伊頓旗下品牌,主要產(chǎn)品包括:Bussmann熔斷器、快速熔斷器、超級(jí)電容、Bussmann固態(tài)控制器、Bussmann保險(xiǎn)絲、Bussmann斷開(kāi)...
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